一、場效應管(FET)基礎知識

1.名稱

場效應晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)），簡稱場效應管。

結型場效應管（junction FET-JFET)

金屬 - 氧化物半導體場效應管 （metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）

由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導體器件。

與之對應的是由兩種載流子參與導電的雙極型晶體管，三極管(BJT)，屬于電流控制型半導體器件。

常見如圖：

2.電路符號

3.分類

4.應用場景

· 電路主電源開關，完全切斷，低功耗省電。

· 大功率負載供電開關，如：電機，太陽能電池充電\放電，電動車電池充電

· 逆變器SPWM波升壓部分功率電路

· 功放，音響的功率線性放大電路

· 數字電路中用于電平信號轉換

· 開關電源中，高頻大功率狀態

· 用于LED燈的恒流驅動電路

· 汽車、電力、通信、工業控制、家用電器等

二、MOS管G、S、D區分以及電流流向

MOS管G、S、D代表什么？

G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極

MOS管是金屬(Metal)—氧化物—半導體(Semiconductor)場效應晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。

三、耗盡型場效應管工作原理 (耗盡型：depletion mode)

四、NMOS與PMOS的區別

1.根本原因

· PMOS管空穴遷移率低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于NMOS

· 形成空穴溝道比電子溝道更難，PMOS的閾值電壓較NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度便低

· 空穴移動比電子移動更難，所以PMOS導通電阻大，發熱大，不易通過大電流

2.結構

3.電路接法

4.成本分析

NMOS價格便宜，廠商多，可選型號多

PMOS價格貴，廠商少，可選型號少

五、MOS管應用電路

NMOS同時用于上管和下管，專用半橋驅動芯片，電荷泵升壓控制極。